QS6J11TR
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | QS6J11TR |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.63 |
10+ | $0.551 |
100+ | $0.4224 |
500+ | $0.3339 |
1000+ | $0.2671 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TSMT6 (SC-95) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2A, 4.5V |
Leistung - max | 600mW |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | QS6J11 |
QS6J11TR Einzelheiten PDF [English] | QS6J11TR PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() QS6J11TRRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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